OBSERVATIONS ON THE GROWTH OF GOOD SURFACE QUALITY, HIGH MOBILITY EPITAXIAL LAYERS OF InP BY THE In-PCl₃-H₂ TECHNIQUE

Résumé
Des couches epitaxiees non dopees d'InP ont ete elaborees par la technique In-PCl₃-H₂. Les couches non attaquées ou attaquées insuffisamment par phase gazeuse avant la croissance présentent une region de grande conductivité a l'interface du profil de concentration des porteurs qui peut etre associee au materiau depose pendant l'étape de saturation de la source. De telles couches ont une mauvaise qualité de surface, une mauvaise mobilité à la temperature ambiante et un grand taux d'impuretés desionisées entre 290K et 77K, caractéristiques électriques que nous montrons être cohérentes avec un modèle a deux couches. Nous démontrons que deux techniques d'attaque gazeuse sont capables de controler l'interface couche/substrat pour donner un matériau de bonne qualité, et comparons leur performance à produire des couches de faible compensation et d'exceptionnellement haute mobilité quand elles sont utilisées avec de l'Indium pré-traite.

Abstract
Undoped single layers of epitaxial InP have been grown by the In-PCl₃-H₂ technique. Layers grown without, or with insufficient, pregrowth vapour etching show a high conductivity region at the interface of a carrier concentration profile which we associate with material deposited during the source saturation step. Such layers exhibit poor surface quality, low room temperature mobility and a large carrier concentration freeze out between 290K and 77K, electrical characteristics which we show to be quantitatively consistent with a two layer model. We demonstrate that two vapour etching techniques are capable of controlling this layer-substrate interface to produce good quality material, and compare their performance when used with a pretreated indium to produce exceptional high mobility, low compensation layers.