INFLUENCE DES TRAITEMENTS THERMIQUES SUR LES CARACTÉRISTIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES IMPLANTÉS BORE + PHOSPHORE

Résumé
Nous avons étudié l'évolution des caractéristiques électriques de transistors hyperfréquences implantés au Bore et au Phosphore, en faisant varier la température de recuit de la base entre 800° et 1 000 °C et en maintenant celle de recuit de l'émetteur à 800 °C. Les résultats obtenus montrent qu'il est possible de réaliser entièrement par implantation d'ions des transistors performants pourvu que le recuit de la base soit complet, c'est-à-dire effectué à T ≥ 900 °C dans le cas présent. Nous en concluons que les limitations observées dans les transistors entièrement implantés sont dues aux défauts créés dans la base elle-même lors de son implantation plutôt qu'à ceux ayant pu migrer dans celle-ci lors de l'élaboration de l'émetteur.

Abstract
Electrical characteristics of Boron and Phosphorus implanted microwave transistors have been investigated under various conditions of annealing. Temperature of annealing was varied between 800 °C and 1 000 °C for the base and was kept equal to 800 °C for the emitter. The results show that satisfactory electrical characteristics can be obtained, provided the base is well annealed, i-e at T ≥ 900 °C. We point out that previous unsuccessful results with all-implanted transistors were due to defects associated with implantation of the base itself, rather than those associated with the emitter implantation or annealing steps.