UTILISATION DE L'IMPLANTATION IONIQUE DANS LES TECHNOLOGIES MOS

Résumé
L'implantation ionique, technique de dopage originale, s'est affirmée dans le domaine de la technologie MOS où elle est devenue un processus industriel. A partir des caractéristiques de cette technique, on dégagera les méthodes qui permettent de pallier différentes limitations de la technologie MOS classique (recouvrement grille drain, rapport tension de seuil oxyde épais - tension de seuil oxyde lin) et on montrera les applications originales qu'il est possible d'envisager avec l'implantation ionique. Des exemples de technologies seront présentés (technologie déplétion-enrichissement à canal P, technologie MOS complémentaire sur substrat isolant) précisant les possibilités de l'implantation ionique tant au niveau de la structure des circuits intégrés réalisés que des performances atteintes.