CALCULS NUMÉRIQUES DE PROFILS D'IMPURETÉ ET D'ÉNERGIE DÉPOSÉE PAR IMPLANTATION D'IONS DE MOYENNE ÉNERGIE, COMPARAISON AVEC L'EXPÉRIENCE

Résumé
L'utilisation de l'algorithme de Winterbon pour le calcul des distributions d'ions implantés est montrée avec des exemples numériques dans le cas de profils d'arsenic et de phosphore dans du silicium et de la silice. Les problèmes de dépouillement de mesures sont ensuite abordés et une comparaison est faite avec un profil d'arsenic implanté dans du silicium prébombardé. L'ajustement de la constante d'arrêt électronique permet une bonne superposition des deux courbes. Ces résultats sont en accord avec des formes de profils dissymétriques présentées récemment.

Abstract
Winterbon algorithm has been used in order to obtain range profiles and related damage distributions. Numerical calculations are presented for arsenic and phosphorus implanted in silicon and in silicon dioxide. Experimental measurements are studied with emphasis on the ion analyser and nuclear reactions techniques. Comparison is made between an experimental and a theoretical profile of arsenic implanted in silicon. These results support the hypothesis of dissymetry of some profiles shown recently, and are thought to be in good agreement with results presented by Winterbon.