Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 34, Numéro C5, Novembre 1973
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION
Page(s) C5-27 - C5-27
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1973506
CONGRÈS DU CENTENAIRE DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
IMPLANTATION ET DÉFAUTS D'IRRADIATION

J. Phys. Colloques 34 (1973) C5-27-C5-27

DOI: 10.1051/jphyscol:1973506

RÉSONANCE ÉLECTRONIQUE DE SPIN PAR TRANSMISSION DANS DES ALLIAGES DE CuMn ET AgMn PRÉPARÉS PAR IMPLANTATION

H. HURDEQUINT

Laboratoire de Physique des Solides, Bâtiment 510, Université Paris-Sud, Centre d'Orsay, 91405 Orsay, France


Résumé
Nous rendons compte d'expériences de résonance électronique, par transmission, des électrons de conduction d'échantillons minces (typiquement 30 µ) de cuivre ou d'argent dans lesquels des ions Mn ont été implantés. L'implantation a été réalisée soit sur une des faces, soit sur les deux faces de l'échantillon de métal pur, à une énergie par ion Mn de 220 keV pour le Cu et de 112 keV pour l'Ag, et à des doses comprises dans la gamme (5 × 1013 ions/cm2 ; 5 × 1015 ions/cm2). Nous observons une forte augmentation de l'intensité du signal de résonance des échantillons implantés par rapport à celle du métal pur correspondant. Typiquement, à T = 1,5 K, pour une dose de 5 × 1014 ions/cm2, ce facteur d'augmentation est de l'ordre de 50 pour un échantillon de cuivre implanté sur une face et de l'ordre du carré, c'est-à-dire, 2 500 pour un échantillon de même épaisseur implanté sur les 2 faces. A la différence du métal pur, l'intensité du signal de résonance et sa largeur de raie décroissent rapidement avec la température. L'ensemble des caractéristiques de cette résonance peut être expliqué à l'aide d'un modèle simple qui traite la couche implantée comme un métal magnétique équivalent fortement couplé aux électrons de conduction du métal pur matrice. De l'analyse, on déduit : - le fait que les ions Mn implantés sont bien magnétiques ; - le temps de relaxation des électrons de conduction dû aux ions Mn et aux défauts créés par implantation ; - une augmentation, dépendante de l'énergie d'implantation, du taux de relaxation intrinsèque des ions Mn avec le réseau par rapport à un alliage homogène.