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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-539 - C5-547 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989563 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-539-C5-547
DOI: 10.1051/jphyscol:1989563
GROWTH CONDITION ANALYSIS AND CHARACTERIZATION OF HIGH PERFECTION InGaAs/InP LAYERS GROWN BY HYDRIDE VPE
G. ATTOLINI, C. BOCCHI, C. FRIGERI et C. PELOSIMASPEC/CNR Institute, via Chiavari 18/A, I-43100 Parma, Italy
Résumé
Les couches épitaxiales InxGa(1-x)As ont été élaborées avec ou sans accord paramétrique sur substrat (InP) par la méthode d'épitaxie en phase vapeur (VPE) dite aux hydrures. La morphologie de surface de ces couches a été étudiée par Microscopie Electronique à Balayage. La microanalyse aux RX, la Microscopie Electronique à Transmission et la Double Diffraction X ont été utilisées pour caractériser le materiau déposé. Le depôt a été réalisé sur des substrats InP orientés (001), dopés p dans la gamme de température 650-670 °C. Les couches obtenues ont un dopage non intentionel d'environ 1016 cm-3.
Abstract
Both lattice-matched and mismatched InxGa(1-x)As epitaxial layers grown by hydride VPE technique have been characterized by Scanning Electron Microscope for the study of the surface morphology, X-ray microanalysis in a SEM, Transmission Electron Microscope and X- Ray Double Crystal Diffractometry. The layers were deposited on (001) oriented p-type InP substrates at temperature in the 650-670 °C range. The layers resulted to be unintentionally doped to about 1016 cm-3 and their composition was determined by X-ray microanalysis and X-Ray Double Crystal Diffractometry.