| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-621 - C2-624 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842145 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-621-C2-624
DOI: 10.1051/jphyscol:19842145
ELECTRON PROBE MICROANALYSIS OF SUBMICRON ALLOY FILMS
P. WillichPhilips GmbH Forschungslaboratorium Hamburg, D-2000 Hamburg 54, F.R.G.
Résumé
Des couches minces de l'ordre de 200 µg/cm2, obtenues par évaporation et pulvérisation ont été étudiées à la microsonde électronique, incluant l'analyse d'O2 et Ar piégés en concentration de 0,2 à 10 %. Pour E0 de 5 à 10 KV, la profondeur d'émission X est estimée à 10 nm près : avec différents modèles de correction, les erreurs en analyse quantitative ne dépassent pas 3,5 %.
Abstract
EPMA has been applied to electron beam evaporated and r.f. sputtered layers of about 200 µg/cm2. This includes analysis of trapped argon and oxygen ranging from 0.2 to 10 wt%. For primary electron energies of 5 to 15 keV depth range of X-ray emission may be predicted with an accuracy of ± 10 nm. Errors of quantitative analysis are discussed for various correction models and should not exceed 3.5 %.