| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-3 - C5-9 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983501 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-3-C5-9
DOI: 10.1051/jphyscol:1983501
Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24 rue Lhomond, 75231 Paris Cedex 05, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-3-C5-9
DOI: 10.1051/jphyscol:1983501
PLASMA ASSISTED MELTING OF COVALENT SEMICONDUCTORS
J. BokGroupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, 24 rue Lhomond, 75231 Paris Cedex 05, France
Résumé
On étudie l'influence d'un plasma d'électrons et de trous sur la fusion des semiconducteurs covalents. On montre qu'à des densités de plasma de l'ordre de 1021 cm-3, réalisables dans des expériences picosecondes, un abaissement notable de la température de fusion devrait être observé.
Abstract
The influence of an electron-hole plasma in the melting of covalent semiconductor is discussed. It is shown that at a plasma density of 1021 cm-3, achievable in picosecond experiments, a significant decrease of the melting temperature should be observed.