STUDIES OF V_K CENTERS IN CsI BY OPTICAL AND EPR TECHNIQUES

Résumé
Les centres V_K ont été observés dans CsI : Na et CsI : Tl après irradiation X à la température de l'hélium liquide par des méthodes optiques et de RPE. Leur transition principale est située à 410 nm et ils sont orientés dans les directions [100]. Nous avons trouvé deux types de migration thermique : un déplacement linéaire le long d'un axe du cube (saut de 0°) et une migration par saut de 90°. Ces deux migrations sont associées à deux pics de thermoluminescence à 60 K et 90 K respectivement et correspondent à une recombinaison radiative des centres V_K mobiles à l'endroit des trappes électroniques (Na⁰ λ = 420 nm, Tl⁰ λ = 560 nm). Des expériences similaires ont été effectuées dans CsI coloré additivement. La recombinaison radiative V_K-F donne lieu à une nouvelle luminescence située à 495 nm.

Abstract
V_K centers have been observed in CsI doped with Na⁺ and Tl⁺ after X ray irradiation at LHeT using optical and EPR techniques. Their main optical transition is located at 410 nm and they are oriented in [100] directions. Two types of thermal migration have been found : a linear displacement along the cubic axis (0° jumps) and a migration with 90° jumps. They are related to two glow peaks at 60 K and 90 K respectively and which correspond to the radiative recombination of mobile V_K centers at the site of the electron traps (Na⁰ λ = 420 nm, Tl⁰ λ = 560 nm). Similar experiments have been done in CsI additively colored. The radiative recombination V_K-F gives rise to a new luminescence at 495 nm.