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Article cité :

HYDROGENATION EFFECTS ON RADIATIVE RECOMBINATION IN TWISTED SILICON

D. Gwinner

J. Phys. Colloques, 44 C4 (1983) C4-141-C4-147

DOI: https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983417

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Citations de cet article :

Electron spin resonance study of hydrogenation effects in polycrystalline silicon

Dominique Ballutaud, Marc Aucouturier and Florence Babonneau
Applied Physics Letters 49 (23) 1620 (1986)
DOI: 10.1063/1.97247
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Dislocation-related photoluminescence in silicon

R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, et al.
Applied Physics A Solids and Surfaces 36 (1) 1 (1985)
DOI: 10.1007/BF00616453
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Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a: Group IV Elements

Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter, Impurities and Defects in Group IV Elements, IV-IV and III-V Compounds. Part a: Group IV Elements 41A2a 1 (2002)
DOI: 10.1007/10681604_99
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