Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C5, Septembre 1990
European Congress on Thermal Plasma Processes and Materials Behaviour at High Temperature
Page(s) C5-411 - C5-417
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990549
European Congress on Thermal Plasma Processes and Materials Behaviour at High Temperature

J. Phys. Colloques 51 (1990) C5-411-C5-417

DOI: 10.1051/jphyscol:1990549

OXYDATION DE SiC SOUS OXYGÈNE ATOMIQUE ET MOLÉCULAIRE À HAUTE TEMPÉRATURE

M. BALAT, G. MALE, G. FLAMANT, B. ARMAS et M. LEBRUN

Institut de Science et de Génie des Matériaux et Procédés IMP-CNRS, UPR 32, BP 5 Odeillo, 66120 Font-Romeu, France


Résumé
Un plasma d'air généré par microondes est utilisé pour étudier l'oxydation de matériaux massifs (SiC fritté) à basse pression (P0 2 de 200 à 2100 Pa), à haute température (1673 à 1973 K) pour un débit d'air constant de 1,06 10-6 m3.s-1. Le comportement physico-chimique des échantillons placés au centre du plasma est comparé, dans les mêmes conditions expérimentales, à celui observé en atmosphère moléculaire. Des différences notables de comportement sont obtenues entre les deux atmosphères. La formation d'une couche de silice passivante a lieu sous oxygène atomique jusqu'à des pressions plus basses (pour la même température) que dans le cas de l'oxygène moléculaire.


Abstract
An air plasma generated by microwaves is used in order to study the oxidation of hot-pressed materials (SiC) at low pressure (P0 2 from 200 to 2100 Pa) and high temperature (1673 to 1973 K) for a constant air flow of 1.06 10-6 m3s-1. The physico-chemical behaviour of samples for the same experimental conditions is compared for two situations : plasma atmosphere and molecular atmosphere. Some significant differences are observed between the two atmospheres. The formation of a "passive" layer of silica takes place under atomic oxygen until lower pressures (for the same temperature) than in the case of molecular oxygen.