NEW RESULTS ON DISLOCATION TRANSMISSION BY GRAIN BOUNDARIES IN ELEMENTAL SEMICONDUCTORS

Abstract
Des expériences de déformation in situ dans le microscope électronique sur des bicristaux de Si et Ge montrent que des dislocations peuvent être transmises par des joints de grand angle même quand leur vecteur de Burgers n'est pas un vecteur translation du second cristal, avec l'aide des concentrations de contrainte en tête d'empilements. Les dislocations sont transmises sous forme de partielles de Shockley, avant de se recombiner éventuellement pour former des dislocations complétes. L'élimination des dislocations interfaciales résiduelles conditionne la transmission successive de plusieurs dislocations à partir d'un seul empilement. Ceci peut se faire par glissement sur des systèmes secondaires.

Abstract
HVEM in situ straining experiments on Si and Ge bicrystals show that dislocations can be transmitted across high-angle grain boundaries even when their Burgers vector is not a lattice vector of the second grain, provided that sufficient stress concentrations arise at pile-up tips. Transmitted dislocations appear as Shockley partials, before they eventually recombine to form perfect dislocations. Repeated transmission of several similar dislocations from one pile-up is possible when the interface can be cleared of residual dislocations, which can sometimes be obtained by activating new slip systems.