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J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
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| Page(s) | C1-417 - C1-422 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990164 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990164
PRECIPITATION OF COPPER IN SILICON BICRYSTALS
R. ABDELAOUI, G. ALLAIS et G. NOUETLaboratoire d'Etudes et de Recherches sur les Matériaux, UA CNRS 1317, Institut des Sciences de la Matière et du Rayonnement, Boulevard du Maréchal Juin, F-14032 Caen Cedex, France
Abstract
La précipitation du cuivre a été étudiée par microscopie électronique par transmission dans un bicristal Σ25 de silicium. Après un recuit à haute température suivi par un refroidissement rapide, des précipités apparaissent dans le plan du joint. Les réflexions supplémentaires peuvent être indexées dans le réseau de la phase CuSi η' ou dans un sous-réseau de la phase β. Deux relations d'orientation sont observées.
Abstract
Investigation of copper precipitates has been carried out in a Σ25 silicon bicrystal by transmission electron microscopy. Orientated precipitation occurs after high temperature annealing and fast cooling. Extra spots can be indexed using the lattice of η'-CuSi phase, lattice related to this of the β phase. Two orientation relationships are found.