| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International CongressIntergranular and Interphase Boundaries in materials |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C1-323 - C1-328 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990151 | |
DOI: 10.1051/jphyscol:1990151
HREM CHARACTERIZATION OF STRUCTURAL CHANGES IN A DEFORMED Σ = 9 (122) GRAIN BOUNDARY IN SILICON
J. L. PUTAUX et J. THIBAULT-DESSAUXCentre d'Etudes Nucléaires de Grenoble, Département de Recherche Fondamentale, Service de Physique, Groupe Structures, 85X, F-38041 Grenoble Cedex, France
Abstract
D'importantes modifications structurales ont lieu en déformant, à températures relativement élevées (T >1020 K = 0.6 Tf), le joint Σ=9(122) parfait . Le coeur des dislocations élémentaires de Σ=9, produites à faible déformation, ainsi que la structure des joints de coïncidence d'angles supérieurs, produits à forte déformation, sont décrits grâce au modèle des unités structurales. On constate que la prédiction de l'evolution structurale du joint n'est pas immédiate et que le mélange d'unités structurales dépend des conditions de déformations.
Abstract
At relatively high temperature (T>1020 K = 0.6 Tm), the deformation of a perfect Σ=9(122) symmetrical grain boundary (GB) induced large changes in the initial structure. The structural unit model was used to describe the structure of elementaryΣ=9 DSC dislocations cores, produced at low strain, and higher tilt angle coincidence GB's, produced at large strain . It was shown that the prediction of the GB structural evolution was not so straightforward and that the mixing of structural units depended on the deformation conditions.