Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 51, Numéro C1, Janvier 1990
Proceeding of the International Congress
Intergranular and Interphase Boundaries in materials
Page(s) C1-71 - C1-76
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1990108
J. Phys. Colloques 51, C1-71-C1-76 (1990)
DOI: 10.1051/jphyscol:1990108

ATOMIC AND ELECTRON STRUCTURE OF GRAIN BOUNDARIES IN SILICON

A.V. ARTEMYEV, L.E. POLYAK et L.K. FIONOVA

Institute of Problems of Microelectronic Technology and High Purity Materials, 142432 Chernogolovka, Moscow Region, U.R.S.S.


Abstract
On présente les résultats de la modélisation mathématique de la structure atomique des spéciales joints des grains spéciaux dans le silicium et le calcul de leur structure électronique. Les joints sont classifiés à partir de leur activité électrique qui dépend de la grandeur des altérations de leur structure atomique.


Abstract
The results of the computer simulation of a grain boundary structure in silicon were presented. The influence of special grain boundaries on the electronic structure of silicon was simulated. The possible classification of grain boundaries from the point of view of their electrical activity on the base of the results of the calculation was discussed.