Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
Page(s) C5-605 - C5-611
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989571
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition

J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-605-C5-611

DOI: 10.1051/jphyscol:1989571

THE PREPARATION AND PROPERTIES OF PECVD-MADE SnO2 THIN FILMS

Y.P. CHEN, Z.Q. ZHENG, S.Y. LI et H.L. MA

Department of Physics, Shandong University, Jinan, P.R. China


Résumé
Des films de SnO2 non dopé de hautes qualités, à applications potentielles pour les cellules solaires au silicium amorphe, ont été déposés sur un verre sodocalcique à basse température (200°C) à partir du système SnCl4-O2 dans un système activé par plasma. Les films ont, en moyenne une résistance de couche par carré de 50 Ω et une transparence optique supérieure à 90% dans le domaine 400-800nm. L'influence des principaux paramètres de dépôt sur les propriétés optiques et électriques a été étudiée.


Abstract
High quality films of undoped SnO2, which have potential applications for a-Si solar cells, were deposited on soda lime glass at the relatively low temperature of 200°C from the anhydrous Sn Cl4-O2 reaction system by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Typically, the films have a sheet resistance of 50 ohm per square with an average optical transparence of more than 90% in the 400-800nm wavelength range. The influences of the main control deposition parameters on electrical and optical properties of the resulting SnO2 films were studied.