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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-605 - C5-611 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989571 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-605-C5-611
DOI: 10.1051/jphyscol:1989571
THE PREPARATION AND PROPERTIES OF PECVD-MADE SnO2 THIN FILMS
Y.P. CHEN, Z.Q. ZHENG, S.Y. LI et H.L. MADepartment of Physics, Shandong University, Jinan, P.R. China
Résumé
Des films de SnO2 non dopé de hautes qualités, à applications potentielles pour les cellules solaires au silicium amorphe, ont été déposés sur un verre sodocalcique à basse température (200°C) à partir du système SnCl4-O2 dans un système activé par plasma. Les films ont, en moyenne une résistance de couche par carré de 50 Ω et une transparence optique supérieure à 90% dans le domaine 400-800nm. L'influence des principaux paramètres de dépôt sur les propriétés optiques et électriques a été étudiée.
Abstract
High quality films of undoped SnO2, which have potential applications for a-Si solar cells, were deposited on soda lime glass at the relatively low temperature of 200°C from the anhydrous Sn Cl4-O2 reaction system by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD). Typically, the films have a sheet resistance of 50 ohm per square with an average optical transparence of more than 90% in the 400-800nm wavelength range. The influences of the main control deposition parameters on electrical and optical properties of the resulting SnO2 films were studied.