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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-435 - C5-444 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989555 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-435-C5-444
DOI: 10.1051/jphyscol:1989555
KINETICS OF THE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON NITRIDE-FROM Si(CH3)4/ NH3/H2 GAS MIXTURES
N. ROELS, T. LECOINTE, R. GUINEBRETIERE et J. DESMAISONLaboratoire de Céramiques Nouvelles, CNRS UA-320, Université de Limoges, 123, avenue A. Thomas, F-87060 Limoges, France
Résumé
L'étude de la cinétique de dépôt chimique en phase vapeur de Si3N4 sur substrat graphite par pyrolyse de mélanges tétraméthylsilane-ammoniac-hydrogène est conduite dans un four à parois chaudes sous pression réduite. Les conditions expérimentales permettant un contrôle de la vitesse de dépôt par la réaction de surface sont définies. La structure et la composition des dépôts correspondants sont également précisées.
Abstract
The kinetic study of the chemical vapour deposition of Si3N4 on graphite substrates by low pressure pyrolysis of tetramethylsilane-ammonia-hydrogen mixtures is conducted in a hot wall reactor. The experimental conditions allowing the control of the deposition rate by the surface chemical reaction are defined. The structure and composition of the corresponding films are described.