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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-411 - C5-419 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989549 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-411-C5-419
DOI: 10.1051/jphyscol:1989549
LTO - SiO2 DEPOSITION IN A STAGNATION FLOW LPCVD SYSTEM
R. WEBER, G. WAHL et R. HUBERASEA Brown Boveri, Corporate Research Heidelberg, D-6900 Heidelberg, F.R.G.
Résumé
Un dispositif à parois froides à basse température, avec une configuration de flux d'arrêt, est utilisé pour le dépôt de SiO2 sur des plaquettes de silicium, entre 280° - 400° C. Les propriétés suivantes des films ont été étudiées : vitesse de dépôt, distribution de l'épaisseur, indice de réfraction, vitesse de corrosion humide, caractérisation chimique par ESCA et infrarouge, caractéristique électriques en fonction de la température du substrat, de la pression total, du gaz vecteur et du rapport O2/SiH4.
Abstract
A cold wall low temperature oxide (LTO) process, by a stagnation flow technique for the deposition of device quality SiO2 on silicon wafers at temperatures of 280°- 400°C is reported. The following properties of the SiO2 films were investigated : Growth rate, deposition profile, refractive index, wet etch rate, chemical characterization by XPS, electrical properties and IR - spectra have been studied as function of substrate temperature, reaction pressure, carrier gas and O2/SiH4 mole ratio.