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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-391 - C5-399 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989547 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-391-C5-399
DOI: 10.1051/jphyscol:1989547
PHASE TRANSFORMATION DURING CVD OF ALUMINIUM OXIDE
E. FREDRIKSSON et J.-O. CARLSSONUppsala University, Department of Chemistry, Thin Film and Surface Chemistry Group, Box 531, S-751 21, Uppsala, Sweden
Résumé
La croissance de couches d'oxyde d'aluminium (Al2O3) sur des substrats en quartz amorphe à partir d'un mélange gazeux AlCl3/H2/CO2 a été étudiée à 1000°C et sous 50 torr. κAl2O3 croît initialement. Après une transformation κAl2O3 → αAl2O3qui a lieu pour des temps de dépôt plus longs, αAl2O3 est déposé sur κAl2O3. Sur la base de ces observations, une séquence de croissance des différentes couches d'oxyde a pu être proposée. En conclusion, il est déduit que Al2O3 est stabilisé par de faibles quantités de certaines impuretés.
Abstract
The growth of aluminium oxide (Al2O3) layers on amorphous quartz substrates from an AlCl3/H2/CO2 gas mixture at 1000°C and 50 torr has been studied. Initially κ-Al2O3 was grown. After a κ-Al2O3 → α-Al2O3 phase transformation, which occurred for longer deposition times, also α-Al2O3 was deposited on top of κ-Al2O3. On the basis of the observations, a growth sequence of the different aluminium oxide layers could be constructed. Finally it was concluded that Al3O3 is stabilized by small amounts of certain impurities.