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J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C5, Mai 1989
Actes de la 7ème Conférence Européenne sur les Dépôts Chimiques en Phase Gazeuse / Proceedings of the Seventh European Conference on Chemical Vapour Deposition
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| Page(s) | C5-83 - C5-90 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989513 | |
J. Phys. Colloques 50 (1989) C5-83-C5-90
DOI: 10.1051/jphyscol:1989513
PROCESS CHARACTERISATION FOR LPCVD DEPOSITION OF SiO2 FILMS FROM TEOS LIQUID SOURCE
S. ROJAS1, P. SERRA1, W.S. WU1, F. SANTARELLI2, G.C. SARTI2 et F. MINNI21 S.G.S. Thomson Microelectronics, I-20041 Agrate Brianza, Italy
2 Dip. Ingegneria Chimica e di Processo-Università di Bologna, Viale Risorgimento 2, I-40136 Bologna, Italy
Résumé
Les caractéristiques du procédé de dépôt de films de SiO2 à partir de TEOS liquide ont été établies dans un réacteur industriel sous basse pression, équipé de 4 plaquettes. L'influence des variables expérimentales les plus importantes (T, P, flux de TEOS et de O2) sur la vitesse de dépôt et l'uniformité du film a été déterminée. Les résultats ont été analysés en fonction de conclusions établies à partir de considérations préliminaires de modélisation. Les valeurs optimales des paramètres ont été identifiées et utilisées pour développer industriellement les procédés à faible et haute vitesse de dépôt.
Abstract
Process characterisation of SiO2 films deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) liquid source has been performed by using a LPCVD industrial system, handling 4 wafers. The influence of the most significant manipulated variables (such as the process temperature and pressure and the TEOS and O2 flow rate) on the deposition rate and the film uniformity was investigated. Results were analyzed on the basis of the conclusions drawn from preliminary modelling considerations. Optimal sets of parameters were then identified and used to develop industrial processes at low and high deposition rate.