IONIZATION OF CLUSTERS SPUTTERED FROM A³B⁵ COMPOUNDS

Résumé
Le processus de formation de clusters atomiques chargés d'une forme générale A³_nB⁵₃ (3≤n, m≤1) émis par des alliages A³B⁵ (GaAs, InP, GaP, InSb) sous bombardement avec des ions lents (<2 keV) primaires de gaz rares a été étudié. Les données expérimentales comportent les mesures d'émission ionique sous l'impact des ions He⁺ et Kr⁺ avec les valeurs d'énergies primaires E_p comprises entre 0.2 et 2 keV, ainsi que les résultats des mesures SNMS sur GaAs. La variation de E_p fournit un outil pour contrôler le niveau d'excitation électronique du substrat. Les données peuvent être interprétées d'une façon conséquente si l'on emploie le modèle d'émission directe pour la formation des clusters et le modèle d'excitation du substrat pour l'ionisation des clusters. Les informations sur les températures ioniques du substrat, les énergies d'ionisation de clusters et sur les configurations atomiques du substrat sont dérivées à partir d'une analyse des données.

Abstract
The process of formation of charged atomic clusters of a general form A³_nB⁵_m (3≤n, m≤1) emitted from A³B⁵ compounds (GaAs, InP, Gap, InSb) under the bombardment of slow rare gas primary ions (< 2 keV) has been studied. The experimental data encompass the measurements of ion emission under the impact of He⁺ and Kr⁺ ions with primary energies E_p ranging from 0.2 keV to 2 keV and SNMS data on GaAs. The variation of E_p provides means of controlling the level of substrate electronic excitations. The data seem to be consistently interpreted using the direct emission model for the cluster formation and using the substrate excitation model for ionization of clusters. Information on substrate electronic temperatures, cluster ionization energies and the substrate atomic configurations is deduced from the data analysis.