MODIFICATION OF ELECTRONIC MATERIALS WITH MeV IONS

Résumé
Les faisceaux d'ions d'énergie autour du MeV permettent souvent des opportunités uniques pour la modification des propriétés électroniques des matériaux. J'en présente ici 3 exemples provenant de notre récent travail. Le premier est la production de couches SiO₂ profondément enterrées dans du Si par implantation d'oxygene. Le matériau résultant a éte caractérisé par XTEM. Le second implique la modification de InP par implantation de N et GaAs par O implantation. Dans ces cas nous avons utilisé XTEM, analyse RX , canalisation d'ions et des réactions nucléaires de profil pour étudier l'endommagement de structure et son comportement par recuit thermique. Le troisième exemple montre comment la résistivité de film mince de carbone amorphe peut être changée par un facteur allant jusqu'à 10⁴ par bombardement d'ions. Le mécanisme de ce phénomène est étroitement lié à celui proposé pour la désorption par ion MeV.

Abstract
MeV ion beams often allow unique opportunities for the modification of the electronic properties of materials. In this talk I shall discuss three such examples from our recent work. The first is the production of deeply buried SiO₂ layers formed in Si by MeV oxygen implantation for a variety of implantation and annealing conditions. The resulting material has been characterized by XTEM. The second involves the modification of InP by N implantation and GaAs by O implantation. In these cases we have used XTEM, x-ray rocking curve analysis, ion channeling, and nuclear reaction profiling to study the structural damage and its behavior under thermal annealing. The third example shows how the resistivity of thin amorphous carbon films can be changed over a range of 10⁴ by MeV ion bombardment. The mechanism for this phenomenon is shown to be closely related to that proposed for MeV ion induced desorption.