| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C9, Décembre 1987
X-Ray and Inner-Shell ProcessesVol. 1 |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C9-931 - C9-934 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19879166 | |
X-Ray and Inner-Shell Processes
Vol. 1
J. Phys. Colloques 48 (1987) C9-931-C9-934
DOI: 10.1051/jphyscol:19879166
1 University of Western Australia, Nedlands, 6009 Western Australia, Australia
2 University of New South Wales, Kensington, 2033 New South Wales, Australia
Vol. 1
J. Phys. Colloques 48 (1987) C9-931-C9-934
DOI: 10.1051/jphyscol:19879166
DIRECT OBSERVATION OF "GAP STATES" IN c-Si AND a-Si : H BY SOFT X-RAY EMISSION
R.S. CRISP1, D. HANEMAN2 and V. CHACORN21 University of Western Australia, Nedlands, 6009 Western Australia, Australia
2 University of New South Wales, Kensington, 2033 New South Wales, Australia
Résumé
Les spectres L23 de Si dans c-Si, a-Si et a-Si:H montrent une structure faible qui correspond aux états occupés dans l'écart énergétique. Leurs intensités et l'absence d'une modification de ces intensités après dopage par le B ou le P suggèrent que l'origine de ces états se trouve dans une zone de surface de séparation.
Abstract
The L23 emission spectra of Si from c-Si, a-Si and a-Si:H show weak structures corresponding to filled states in the energy gap. Their intensities and the absence of change in this after doping strongly n- or p-type with B or P suggest that these are surface interface states.