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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-467 - C5-470 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987598 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-467-C5-470
DOI: 10.1051/jphyscol:1987598
MEASUREMENT OF ELECTRON AND HOLE MOBILITIES PERPENDICULAR TO THE INTERFACE OF GaAs/GaAlAs SUPERLATTICES
H. LE PERSON, C. MINOT, F. ALEXANDRE et J.F. PALMIERCentre National d'Etudes des Télécommunications, 196 Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Il est rapporté une série de mesures de la mobilité des électrons et des trous, perpendiculaire aux plans des couches dans des superréseaux GaAs/GaAlAs ayant des épaisseurs de barrières de 24 Å et 67 Å. L'interprétation des résultats expérimentaux, obtenus par une technique de temps de vol, s'appuie sur un modèle utilisant l'équation de Poisson couplée aux équations de dérive-diffusion. Les valeurs sont en accord avec une conduction de type minibande dans le cas des faibles épaisseurs de barrières ; pour des grandes barrières, plusieurs mécanismes sont suggérés.
Abstract
We report on measurements of the electron and hole mobilities perpendicular to interfaces of GaAs/GaAlAs superlattices. The superlattices are in intrinsic region of nin or pin structures and have two values of barrier thickness, 24 Å and 67 Å. The experimental results are associated to a numerical simulation using Poisson and drift-diffusion equations. The obtained values, for a small barrier, are in agreement with a conduction by miniband and, for a large barrier (at mid electric field) several effects are involved.