CHARGE TRANSPORT AND INTRINSIC BISTABILITY IN RESONANT TUNNELING STRUCTURES

V.J. GOLDMAN; D.C. TSUI; J.E. CUNNINGHAM

doi:doi:10.1051/jphyscol:1987597

Numéro		J. Phys. Colloques Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987 3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures


Page(s)		C5-463 - C5-466
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987597

3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-463-C5-466
DOI: 10.1051/jphyscol:1987597

CHARGE TRANSPORT AND INTRINSIC BISTABILITY IN RESONANT TUNNELING STRUCTURES

V.J. GOLDMAN¹, D.C. TSUI¹ et J.E. CUNNINGHAM²

¹ Princeton University, Princeton, NJ 08544, U.S.A.
² AT and T Bell Laboratories, Holmdel, NJ 07733, U.S.A.

Résumé
Nous rapportons des mesures de caractéristiques courant-tension sur des structures tunnel résonantes à double barrière (DBRTS), démontrant une bistabilité intrinsèque. Nous interprétons les données dans le cadre d'un modèle auto-consistant, qui tient compte de la formation de la zone de charge dans la DBRTS, et démontre que la bistabilité intrinsèque est due à la contre-réaction du champ électrique des électrons dans le puits sur la densité de courant tunnel.

Abstract
We report measurements of current-voltage characteristics of AlGaAs/GaAs double-barrier resonant tunneling structures (DBRTS) which exhibit intrinsic bistability. We interpret the data with a self-consistent model which takes into account the space-charge formation in DBRTS and show that the intrinsic bistability is due to the feedback of the electrostatic field of the electrons in the well on the tunneling current density.