| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-443 - C5-451 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987594 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-443-C5-451
DOI: 10.1051/jphyscol:1987594
ELECTRICAL TRANSPORT PERPENDICULAR TO SUPERLATTICES BUILT IN BIPOLAR AND PHOTOCONDUCTOR STRUCTURES
J.F. PALMIER, H. LE PERSON, C. MINOT et A. SIBILLECentre National d'Etudes des Télécommunications, 196 Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
Le transport perpendiculaire aux interfaces dans les super-réseaux est étudié au moyen de structures classiques photoconductrices ou transistor contenant une couche active en super-réseau. Les résultats indiquent les limites de validité des modèles classiques de transport surtout pour les trous et montrent une tendance au transport cohérent électronique, pour de fines barrières. Les effets de champ électrique particuliers aux super-réseaux sont également présentés et discutés.
Abstract
Perpendicular transport in superlattices is studied by means of classical photoconductor or transistors in which the active layer is made of a superlattice. Results indicate the limits of classical models but clearly show coherent electron transport for thin barriers. High electric field effects particular to superlattices are also shown and discussed.