Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-345 - C5-348
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987574
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-345-C5-348

DOI: 10.1051/jphyscol:1987574

RESONANT RAMAN SCATTERING AND EXCITON-PHONON INTERACTION IN CdTe / (Cd,Mn)Te QUANTUM WELLS

S.-K. CHANG1, H. NAKATA2, A.V. NURMIKKO1, L.A. KOLODZIEJSKI3 et R.L. GUNSHOR3

1  Brown University, Providence, RI 02912, U.S.A.
2  Osaka University, Toyonaka, Japan
3  Purdue University, West Lafayette, IN 47907, U.S.A.


Résumé
L'effet Raman résonnant au voisinage du niveau excitonique n=1 a été étudie dans le puits quantiques CdTe/(Cd,Mn)Te. Un renforcement important de la diffusion par phonon LO est observée sous condition de résonance pour les photons incidents et photons émis en présence de champ magnétique. Les phonons de puits et de barrière sont observés, en accord avec un faible desalignement des bandes de valence dans ce système. En situation de résonance extremen, un élargissement de raie et un amortissement remarquables des modes de phonons de l'alliage sont mesurés.


Abstract
Resonant Raman scattering near the n=1 exciton ground state at the E0 gap has been investigated in CdTe/(Cd,Mn)Te quantum wells. A large resonant enhancement in the LO-phonon scattering is observed with distinct incoming and outgoing channels which are modified in the presence of a magnetic field. Phonons are observed from both well and barriers layers as expected for a small valence band offset in this system. At extreme resonance striking linewidth broadening and damping of the alloy phonon modes are seen.