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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-255 - C5-258 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987554 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-255-C5-258
DOI: 10.1051/jphyscol:1987554
ON THE MOBILITY OF GaAs-AlGaAs HETEROSTRUCTURES WITH AN IMPURITY LAYER IN THE GaAs
A. GOLDPhysik-Department E 16, Technische Universität München, D-8046 Garching, F.R.G.
Résumé
La mobilité des GaAs-AlGaAs hétérostructures avec une couche dotée de δ d'impurité ionisée dans le GaAs à la distance zi de l'interface est calculée. On montre que la mobilité est une bonne image de la fonction d'ondes qui décrit l'extension du gaz électronique dans le bulk. La mobilité dépend fortément de la densité de déplétion. La densité d'impurité critique, où une transition vers une localisation forte est à supposer, est calculée et la dépendance de zi est prédite.
Abstract
The mobility of GaAs-AlGaAs heterostructures with a δ-doping layer of ionized impurities in the GaAs at a distance zi from the interface is calculated. It is shown that the mobility is a good image of the wave function which describes the extension of the electron gas into the bu1k. The mobility strongly depends on the depletion density. The critical impurity density where a transition to strong localization is expected is calculated and the dependence on zi is predicted.