Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-139 - C5-142
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987526
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-139-C5-142

DOI: 10.1051/jphyscol:1987526

ASSESSMENT OF A MULTIPLE QUANTUM WELL AND A SUPERLATTICE STRUCTURE BY SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY, ELECTROREFLECTANCE AND PHOTOREFLECTANCE MODULATION SPECTROSCOPY

M. ERMAN1, C. ALIBERT2, J.A. CAVAILLÈS1, P. FRIJLINK3 et C. BOUCHE2

1  Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3, Avenue Descartes, F-94451 Limeil-Brévannes Cedex, France
2  Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Equipe Micro-Opto-Electronique, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
3  Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquéemeil-Brévannes Cedex, France


Résumé
Utilisant l'ellipsométrie spectroscopique, l'électroréflexion et la photoréflexion, nous avons analysé une structure multicouche GaAlAs/GaAs. L'échantillon présente un gradient d'épaisseur parallèlement au diamètre de la plaquette. Grâce à cette non-uniformité, nous avons pu observer l'évolution continue entre une structure type puits quantiques multiples et type super-réseau.


Abstract
A GaAlAs/GaAs multiple quantum well structure exhibiting a thickness gradient over the wafer surface has been analyzed using spectroscopic ellipsometry, electroreflectance and photoreflectance. Due to the sample non uniformity, we have been able to observe the continuous transition from multiple quantum well regime to superlattice regime.