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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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| Page(s) | C5-77 - C5-80 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1987512 | |
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-77-C5-80
DOI: 10.1051/jphyscol:1987512
FORMATION AND PROPERTIES OF MBE GROWN AlSb-GaSb (100) INTERFACES
C. RAISIN, H. TEGMOUSSE et L. LASSABATEREUniversité des Sciences et des Techniques du Languedoc, Laboratoire d'Etudes des Surfaces, Interfaces et Composants, CNRS-UA 04-0787, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Ce travail porte sur l'elaboration par jets moléculaires des interfaces GaSb-AlSb
et AlSb-GaSb, et sur l'étude pas à pas par diffraction d'électrons rapides, par effet
Auger, par mesures du travail de sortie de la surface de départ et de l'interface en
formation. On précise ainsi la qualité électronique des surfaces, interfaces, et, met
en évidence des diffusions d'Al pour l'interface GaSb/AlSb et pas de diffusion notable
de Ga pour AlSb/GaSb.
Abstract
In this paper, we present results, we have obtained on GaSb-AlSb or AlSb-GaSb
interfaces grown by MBE. We first focuss on the surface properties obtained by AES,
R H E E D, work function topographies. Then, we describe the formation of the interface
and the evolution of its properties during growth. We detail A E S and work function
measurements and show Al migration at the GaSb/AlSb interface and no noticeable
Ga diffusion at the AlSb/GaSb interface.