Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-521 - C5-524
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875111
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-521-C5-524

DOI: 10.1051/jphyscol:19875111

ANALYSIS OF (AlAs) (GaAs) MONOLAYER SUPERLATTICES GROWN BY FLOW-RATE MODULATION EPITAXY

L. TAPFER1, N. KOBAYASHI2, T. MAKIMOTO2 et Y. HORIKOSHI2

1  Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2  NTT ECL, Musashino-shi, Tokyo 180, Japan


Résumé
Nous décrivons la croissance de superréseaux (AlAs)n(GaAs)n avec n = 1, 2, 3, 4 ainsi qu'une analyse structurelle détaillée. Les superréseaux sont réalisés par une technique d'épitaxie en phase vapeur d'organoméetalliques modifiée, l'épitaxie par modulation de flux. Les propriétés structurelles sont étudiées par simple et double diffractométriede rayons X. Un modèle de diffraction dynamique est utilisée pour analyser la forme des pics satellites. Nous trouvons que la rugosité d'interface moyenne de nos superréseaux est inférieure à 0.05 nm.


Abstract
This paper reports on the growth of (AlAs)n(GaAs)n superlattices (SL) with n = 1, 2, 3, 4 and gives a detailed investigation of their structures. The superlattice structures are synthesized by a modified metallorganic chemical vapor deposition, flow-rate modulation epitaxy (FME). The structural properties are studied by powder and double crystal X-ray diffractometry. A dynamical diffraction model is used to analyze the shape of the SL satellite peaks. We found that the average interface roughness in our SL is < 0.05 nm.