INVESTIGATION OF BURRIED INTERFACE (Si₃N₄/Ga As) BY EXAFS IN TOTAL REFLECTION AND DISPERSIVE MODE

Résumé
Etudier l'interface sous un film de passivation est souvent impossible. La spectroscopie d'absorption X par reflectivité totale permet de réaliser une telle approche si le film déposé est de densité plus faible que le substrat. C'est le cas de Si₃ N₄ sur Ga As. Les deux méthodes de préparation utilisées conduisent à des interfaces de structure différente. La méthode PECVD donne une interface homogène tandis que la méthode du plasma réactif produit également en faible quantité des liaisons GaN. Dans ce dernier cas un modèle d'îlots de GaN serait en accord avec l'étude XPS.

Abstract
To reach a burried interface below the passivating film is often out of the capability of experimental technique. The X-ray absorption, spectroscopy using the total reflection scheme allows such investigation if the deposited film has a lower electronic density than the substrate one. This requirement is fulfilled with Si₃ N₄ on Ga As. Two considered processes leads to interfaces with large differences. PECVD keeps well-defined reflecting surface, while the cathodic reactive sputtering gives rise to an island-type one, this results agree with XPS measurements.