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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-79 - C8-82 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986813 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-79-C8-82
DOI: 10.1051/jphyscol:1986813
INNER SHELL RESONANCES IN PHOTOABSORPTION SPECTRA OF GAS PHASE SILICON COMPOUND MOLECULES
S. BODEUR1, 2 et I. NENNER3, 21 Laboratoire de Chimie-Physique, 11, rue Pierre et Marie Curie, F-75231 Paris Cedex 05, France
2 LURE, Laboratoire commun CNRS, CEA et MEN, Bâtiment 209 D, Université de Paris-Sud, F-91405 Orsay Cedex, France
3 CEA-IRDI/DESICP, Département de Physico-Chimie, CEN-Saclay, F-91191 Gif-sur-Yvette Cedex, France
Résumé
Nous avons mesuré les spectres de photoabsorption des molécules SiX4 (X = H, F, CH3 Cl) dans la région du seuil Si 1s (1840-1900 eV). Des résonances intenses sont observées dans les parties discrètes et continues du spectre. L'interprétation est faite sur la base des propriétés électroniques et structurales des espèces "à coeur équivalent" : les radicaux phosphoranyles PX4 et aussi en termes de résonances de forme.
Abstract
Photoabsorption spectra of SiX4 molecules (X = H, F, CH3 and Cl) have been measured near the Si 1s edge (1840-1900 eV energy range). Intense resonances are observed in the discrete and the continuum part of the spectra. They are interpreted using electronic and structural properties of the core equivalent phosphoranyl radicals PX4 and also in terms of shape resonances.