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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-801 - C1-805 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19861122 | |
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-801-C1-805
DOI: 10.1051/jphyscol:19861122
Laboratoire de Thermodynamique et d'Electrochimie des Oxydes, Université Paris XII, Avenue C. de Gaulle, F-94010 Créteil, France
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-801-C1-805
DOI: 10.1051/jphyscol:19861122
ELECTROCHEMICAL BEHAVIOUR OF STABILIZED ZIRCONIA-PLATINUM CERMETS USING THICK FILM TECHNOLOGY
M. GOGÉ, K. HEGGESTAD, D. ESPECEL et M. GOUETLaboratoire de Thermodynamique et d'Electrochimie des Oxydes, Université Paris XII, Avenue C. de Gaulle, F-94010 Créteil, France
Résumé
Des couches de cermet zircone-platine ont été sérigraphiées sur un substrat d'alumine, avec des électrodes de platine. Leur comportement électrique est principalement déterminé par des phénomènes d'interfaces.
Abstract
Thick film technology was used to prepare zirconia-platinurn cermets on an alumina substrate, with platinum electrodes. The electrical conductivity of these cermets is mainly determined by the interfacial process.