Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C10, Décembre 1985
Eighth International Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids
Page(s) C10-557 - C10-560
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:198510124
Eighth International Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids

J. Phys. Colloques 46 (1985) C10-557-C10-560

DOI: 10.1051/jphyscol:198510124

ULTRASONIC STUDY OF TWO-LEVEL TUNNELING SYSTEMS IN SINTERED SiC

A. HIKATA1, C . ELBAUM1, Y. INOMATA2, G. ORANGE3 and Y. TAKEDA4

1  Brown University, Providence, RI, 02912, U.S.A.
2  National Institute for Research in Inorganic Materials, Ibaraki, Japan
3  Institut National des Sciences Appliquées, Villeurbanne, France
4  Hitachi Research Laboratory, Hitachi-shi, Japan


Résumé
Nous avons étudié (aux basses températures ; T < 1K), la vitesse du son, en fonction de la température, dans le carbure de silicium fritté contenant trois additifs de frittage différents, à savoir, les oxydes de béryllium et de bore, ou le ni trite d'aluminium. Les résultats sont interprétés suivant le modèle de l'effet tunnel dans des systèmes à deux niveaux.


Abstract
We investigated the temperature dependence, at low temperatures. (< 1K), of sound velocity in sintered silicon carbide samples, containing three different sintering additives, boron or beryllium oxide or aluminum nitride. The results are interpreted in terms of Two Level Tunneling System (TLS).