Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C10, Décembre 1985
Eighth International Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids
Page(s) C10-507 - C10-511
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:198510112
Eighth International Conference on Internal Friction and Ultrasonic Attenuation in Solids

J. Phys. Colloques 46 (1985) C10-507-C10-511

DOI: 10.1051/jphyscol:198510112

THE COMBINING OF DIELECTRIC AND ANELASTIC RELAXATION MEASUREMENTS IN THE STUDY OF POINT DEFECTS IN INSULATING CRYSTALS

A.S. NOWICK

Henry Krumb School of Mines, Columbia University, New York, NY 10027, U.S.A.


Résumé
En ce qui concerne 1'étude des défauts ponctuels dans les cristaux isolants, nous montrons qu'il est possible d'obtenir plus d'informations sur la cinétique de ces défauts en utilisant simultanément des mesures de relaxation diélectriques et de relaxation anélastiques, qu'en utilisant ces dernières uniquement. Cela est dû au fait que ces deux types de mesures concernent différents modes excités de relaxation. Plusieurs examples illustrant ce propos sont donnés, en particulier, nous avons étudié : de cristaux de quartz contenant des défauts Al-Na, des cristaux de Céria contenant des défauts YV0 (V0 représentant une lacune d'oxygène ionisé) et de Céria contenant des ions Sc3+ qui sont isolés et vont dans une configuration non-centrée.


Abstract
In the study of point defects in insulating crystals, it is shown that more information about defect kinetics is obtainable by combining measurements of dielectric relaxation with those of anelastic relaxation than from anelasticity alone. This is true because the two types of experiments usually excite different relaxational modes. Examples of such studies are given, including : quartz crystals with Al-Na defects, ceria with YV0 defects (where V0 is an oxygen-ion vacancy), and ceria with isolated Sc3+ ions, which go into an off-center configuration.