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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C8, Décembre 1985
Third International Conference on the Structure of Non-Crystalline Materials
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| Page(s) | C8-603 - C8-608 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985896 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C8-603-C8-608
DOI: 10.1051/jphyscol:1985896
DEFECT PRODUCTION BY FAST NEUTRONS AND THERMAL RECOVERY IN AMORPHOUS Pd80Si20
G. Schumacher1, W. Petry2, S. Klaumünzer1, G. Wallner3 and G. Weck31 Hahn-Meitner-Institut für Kernforschung, D-1000 Berlin 39, F.R.G.
2 ILL, 156X Centre de Tri, 38042 Grenoble Cedex, France
3 Physik-Department E21, Technische Universität München, D-8046 Garching, F.R.G.
Résumé
Des défauts sont introduits dans divers échantillons d'alliage amorphe Pd80Si20 prétraités différemment, par bombardement avec des neutrons rapides à 4,6 K. La variation de la résistance électrique a été mesurée en fonction de la dose d'irradiation jusqu'à 2 x 1019 n/cm2 et au cours de séquences de traitement isochrones entre 4,6 K et 483 K. La plupart des résultats sont discutés en terme de défauts ponctuels représentés par des atomes interstitiels et par des lacunes. En plus du processus bien connu de neutralisation mutuelle, un mécanisme important d'annulation est représenté par la dissociation des défauts dans les défauts subatomiques distribués sur plusieurs atomes.
Abstract
Defects were introduced into variously pretreated strips of glassy Pd80Si20 by fast neutron irradiation at 4.6 K. The electrical resistivity was measured during irradiation up to 2 · 1019 n/cm as well as subsequent isochronal annealing up to 483 K. Most of the results can be understood in terms of the familiar concept of vacancy and interstitial-like defects. However, in addition to the well-known process of mutual annihilation an important mechanism for defect relaxation is the disintegration of localized defects into subatomic ones which are distributed among many atoms.