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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C7, Octobre 1985
Fifth International Conference on Dynamical Processes in the Excited States of Solids / Dynamique des Etats Excités dans les Solides
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| Page(s) | C7-235 - C7-239 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985743 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C7-235-C7-239
DOI: 10.1051/jphyscol:1985743
TIME RESOLVED RAMAN SPECTROSCOPY OF OPTICALLY GENERATED PHONONS IN III-V SEMICONDUCTORS
J.C. Tsang1, J.A. Kash1 et J.M. Hvam21 IBM T.J. Watson Research Center, P.O. Box 218, Yorktown Heights, 10598 New York, U.S.A.
2 Fysisk Institut, Odense University, DK-5230 Odense M, Denmark
Résumé
Grâce à un laser sub-picoseconde et à un système de diffusion Raman muni d'1 détecteur multicanaux ultra-sensible, nous avons obtenu des spectres de diffusion Raman résolus en temps à l'échelle de la sub-picoseconde et mesuré ainsi la dynamique des phonons LO hors d'équilibre dans GaAs et InAs. La dépendance en temps de la population de phonons en excès les variations du spectre avec le temps et le niveau d'excitation ont été étudiés.
Abstract
A sub-picosecond laser and a highly sensitive multichannel detector Raman scattering system have been combined to perform sub-picosecond, time resolved Raman scattering experiments on the dynamics of non-equilibrium LO phonons in GaAs and InAs. The time dependence of the excess phonon population and the changes in the spectral content with both time and excitation level have been studied.