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J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C7, Octobre 1985
Fifth International Conference on Dynamical Processes in the Excited States of Solids / Dynamique des Etats Excités dans les Solides
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| Page(s) | C7-197 - C7-201 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985737 | |
J. Phys. Colloques 46 (1985) C7-197-C7-201
DOI: 10.1051/jphyscol:1985737
BOUND EXCITON TRANSFER IN WEAKLY DISORDERED SYSTEMS : III-V ALLOYS
H. Mariette1, J.A. Kash2 et D.J. Wolford21 Laboratoire de Physique des Solides, CNRS, Meudon-Bellevue, France
2 IBM T. J. Watson Research Center, P. O. Box 218, Yorktown Heights, NY 10598, U.S.A.
Résumé
Les mécanismes de transfert des excitons liés à l'azote dans les alliages GaxIn1-xP : N et GaAs1-xPx : N sont observés en fonction de la température par des mesures de luminescence résolue en temps (laser picoseconde). Les resultats (saut direct entre des états localisés et piégeage multiple via les excitons libres) sont différents de ceux obtenus pour le binaire GaP : N. Nous montrons ainsi l'importance du desordre d'alliage sur la dynamique des excitons.
Abstract
Transfer mechanisms of N-bound excitons in GaxIn1-xP : N and GaAs1-xPx : N alloys are studied as a function of temperature using picosecond time resolved photoluminescence. The results, direct exciton tunneling between localized states and multiple trapping via free excitons, are different from those seen in the binary GaP : N. Thus, we demonstrate the importance of alloy disorder on the exciton dynamics.