| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 46, Numéro C7, Octobre 1985
Fifth International Conference on Dynamical Processes in the Excited States of Solids / Dynamique des Etats Excités dans les Solides
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| Page(s) | C7-191 - C7-195 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1985736 | |
Fifth International Conference on Dynamical Processes in the Excited States of Solids / Dynamique des Etats Excités dans les Solides
J. Phys. Colloques 46 (1985) C7-191-C7-195
DOI: 10.1051/jphyscol:1985736
1 Centro Studi del Consiglio Nazionale delle Ricerche, Trento, Italy
2 Dipart. di Fisica, Università di Bari, 70126 Bari, Italy
3 Dipart. di Fisica, Università di Trento, 38050 Povo, Italy
J. Phys. Colloques 46 (1985) C7-191-C7-195
DOI: 10.1051/jphyscol:1985736
DYNAMICS OF EXCITONS IN GaSe AS A FUNCTION OF TEMPERATURE
V. Capozzi1, 2 et M. Montagna1, 31 Centro Studi del Consiglio Nazionale delle Ricerche, Trento, Italy
2 Dipart. di Fisica, Università di Bari, 70126 Bari, Italy
3 Dipart. di Fisica, Università di Trento, 38050 Povo, Italy
Résumé
Nous avons étudié la dynamique des excitons directs et indirects à la fois libres et localisés par le désordre d'empilement des couches, dans le semiconducteur GaSe aux températures de 2 à 150 K et en fonction de l'énergie de photoexcitation.
Abstract
The dynamics of direct and indirect excitons, either free or localized by the layer stacking disorder is studied in GaSe at temperatures from 2 to 150 K and as a fünction of the excitation energy.