ATOMIC STRUCTURE OF <011> AND <001> PURE TILT GRAIN BOUNDARIES IN GERMANIUM AND SILICON

Résumé
La microscopie électronique haute résolution (MEHR) a été utilisée pour résoudre la structure atomique des joints de flexion <011> et <001> dans le germanium et le silicium. La résolution point par point actuelle donnée par cette technique, limite les renseignements sur les positions atomiques et la détermination du nombre exact d'atomes dans le plan du joint. Plusieurs unités structurales permettant de construire un joint quelconque de flexion symétrique ont été trouvées. Pour la première fois, une comparaison détaillée entre images simulées e t images calculées a été effectuée dans le cas de Σ = 9. Récemment la technique de MEHR a été complétée par des expériences de diffraction électronique sur le joint {112} Σ = 3 par A.M. Papon et M.L. Petit. Ces auteurs ont proposé une structure nouvelle pour ce joint ; elle contient des liaisons reconstruites qui sont ainsi mises en évidence pour la première fois.

Abstract
High Resolution Electron Microscopy (HREM) has been used to investigate the structure of [001] and [011] pure tilt grain boundaries both nearcoincident and coincident in silicon and germanium crystals. The point-to-point resolution limit of this technique, limit the detection of the exact number of atoms and their location in the grain boundary plane. Several structural units for primary and secondary relaxations have been found. For the first time, a detailed comparison between experimental and simulated images of Σ = 9 has been performed. Recently HREM has been used in conjonction with electron diffraction to solve the {112} Σ = 3 atomic structure by Papon and Petit. These authors have proposed a new structure with reconstructed bonds.