NEW PHASES OF SEMICONDUCTORS AT ULTRAHIGH PRESSURE

Résumé
Des mesures de diffraction X ont été faites sur Ge, Si, Gap et InAs à très haute pression dans un dispositif à enclumes de diamant. Trois phases de Si (β- Sn, hexagonal simple, hexagonal compact) ont été identifiées,à pression croissante, ainsi qu'une phase cubique centrée à la décompression. InAs se transforme en une phase NaCl sous haute pression, avec une hystérésis lors du retour à la structure blende d'origine. Des expériences sur Gap en milieu quasi-hydrostatique localisent la pression de transition bien au-dessus de 22 GPa en accord avec le travail précédent de Pinceaux, Besson, Rimsky et Weill

Abstract
X-ray diffraction experiments have been carried out on Ge, Si, Gap, InAs at ultrahigh pressure in the diamond anvil high pressure apparatus. Three phases of Si (β-Sn, simple hexagonal, hcp) have been found on increase of pressure, with bcc phase on release. Only one phase of Ge (β-Sn) has been found to 25 GPa, with tetragonal phase on release. InAs transforms to NaCl phase at high pressure, with some hysteresis in the transformation back to the original zinc-blend phase. Experiments on Gap in a quasi-hydrostatic medium place the transition pressure well above 22 GPa, in agreement with previous work of Pinceaux, Besson, Rimsky, and Weill.