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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C8, Novembre 1984
Physics and Physicochemistry of Highly Condensed Matter /Physique et Physicochimie de la Matière très Condensée
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| Page(s) | C8-29 - C8-39 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1984806 | |
J. Phys. Colloques 45 (1984) C8-29-C8-39
DOI: 10.1051/jphyscol:1984806
PRESSURE DEPENDENCE OF DYNAMICAL CHARGES AND IONICITY OF SEMICONDUCTORS
M. Cardona1, 21 Max-Planck-Institut für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, 7000 Stuttgart 80, F.R.G.
2 Xerox Palo Alto Research Center, 3333 Coyote Hill Road, Palo Alto, CA 94304, U.S.A.
Résumé
Avec la cellule à enclumes de diamant il est devenu possible de mesurer très précisément les fréquences des phonons en fonction de la pression par spectroscopie Raman. Dans les matériaux polaires on voit des paires de phonons LO-TO dont on peut mesurer l'écartement en fonction de la pression. Ces mesures fournissent des renseignements sur la relation entre la charge dynamique et, partant, l'ionicité des liaisons, et la constante de réseau. Des résultats pour les matériaux de structure blende sont discutés et comparés avec des calculs théoriques basés sur les méthodes de pseudo-potentiels et LCAO.
Abstract
The advent of the diamond anvil cell has made possible very accurate determinations of the pressure dependence of phonon frequencies by means of Raman scattering. In polar materials pairs of longitudinal and transverse phonons are observed. The pressure dependence of the separation between these lines gives direct information on the dependence of the dynamic effective charge on lattice constant which can be taken as a measure of the dependence of the bond-ionicities on a0. We discuss experimental data obtained for zincblende-type semiconductors in the light of the results of pseudopotential and LCAO calculations.