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J. Phys. Colloques
Volume 45, Numéro C2, Février 1984
10ème Congrès International d'Optique des Rayons X et de Microanalyse 10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis |
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| Page(s) | C2-761 - C2-764 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19842175 | |
10th International Congress on X-Ray Optics and Microanalysis
J. Phys. Colloques 45 (1984) C2-761-C2-764
DOI: 10.1051/jphyscol:19842175
SEMIQUANTITATIVE X-RAY MICROANALYSIS ON PREFORMS FOR OPTICAL WAVEGUIDE FIBRES
J. Hersener1, H.-P. Huber1 et J. Von Wienskowski21 AEG-Telefunken, Forschungsinstitut, Sedanstrasse 10, D-7900 Ulm, F.R.G.
2 AEG-Telefunken, Kabelwerke AG Rheydt, Bonnenbroicher Strasse 2-14, D-4050 Mönchengladbach 2, F.R.G.
Résumé
La distribution du dopant Ge(O2) dans les fibres optiques, qui sont fabriquées par VCVD, est déterminée par analyse par spectrographie X en énergie. On obtient une résolution de 1,5 µm avec la raie Ge(Lα) et une énergie d'excitation de 10 keV. On a observé dans la fabrication des préformes une fluctuation caractéristique de la densité de Ge(O2) pour chaque couche déposée. Cette distribution initiale du dopant Ge(O2) est modifiée par la diffusion et l'évaporation lors des phases suivantes de la préparation des préformes et de l'étirage des fibres.
Abstract
The distribution of the Ge(O2)-dopant in optical waveguides prepared by the VCVD-process is determined with an SEM using energy dispersive microanalysis. Operating at 10 keV and analysing the Ge(Lα)-line, a lateral resolution of approximately 1.5 µm is achieved. A strong characteristic fluctuation of the Ge(O2)-density within each freshly deposited layer is observed. This original Ge(O2)-distribution in each layer is changed by interdiffusion and evaporation processes during following steps of preform preparation and fibre drawing.