Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-465 - C10-468
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831092
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-465-C10-468

DOI: 10.1051/jphyscol:19831092

OXIDATION STUDIES OF THE Be (0001) SURFACE

T.M. Christensen et J.M. Blakely

Department of Materials Science, Cornell University, Ithaca, New York 14853, U.S.A.


Résumé
Les premières étapes de l'oxydation de la surface (0001) du beryllium ont été étudiées en ultra vide par ellipsométrie, spectroscopie Auger (AES) et diffraction d'électrons lents (LEED). La variation des paramètres ellipsométriques a été étudiée dans le cas de l'oxyde monocristallin (à haute température) et polycristallin (à basse température). Les modifications de ψ et Ɗ observées peuvent être interprétées comme étant dues aux transformations structurelles de la surface. À température ambiante, une baisse initiale, suivie d'une rapide augmentation du paramètre ψ, est probablement associée à la formation de régions de BeO cristallisé. Des variations de Ɗ sont observées quand une couche de BeO polycristalline est transformée en une couche monocristalline par traitement thermique.


Abstract
The initial stages of the oxidation of the beryllium (0001) surface were studied under ultra-high vacuum conditions using a rotating analyzer ellipsometer, Auger Electron Spectroscopy (AES) and Low Energy Electron Diffraction (LEED). The behavior of the ellipsometric parameters has been investigated for both single crystal (high temperature) and polycrystalline (low temperature) oxide growth. Changes in ψ and Ɗ are seen which may be indicative of structural transformations in the overlayer. At room temperature, an initial decrease followed by a rapid increase in ψ may be associated with the formation of regions of crystalline BeO. Changes in Ɗ are also seen when a polycrystalline BeO layer is annealed to form an epitaxial single crystal layer.