Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
Page(s) C10-459 - C10-462
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831090
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis

J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-459-C10-462

DOI: 10.1051/jphyscol:19831090

ELLIPSOMETRIC STUDIES OF OXYGEN ADSORBED ON SILVER FILMS

M. Watanabe1 et P. Wissmann2

1  Research Institute for Catalysis, Hokkaido University, Sapporo, 060 Japan
2  Institut für Physikalische und Theoretische Chemie der Universität Erlangen-Nürnberg, Egerlandstrasse 3, 8520 Erlangen, F.R.G.


Résumé
L'adsorption d'oxygène sur des couches minces d'Argent déposées par évaporation a été étudiée à 295 et 77 K par ellipsométrie et par mesures de résistance. La constante diélectrique obtenue pour l'oxygène adsorbé sous forme atomique, à 1152 nm, est [MATH]1 = - 1,8 - 3,5i à 295 K et - 2,0 - 4,0i à 77 K ; ces valeurs sont bien interprétées par la théorie de Bennett et Penn qui décrit le couplage entre l'oxygène adsorbé et les électrons de conduction. Les valeurs δƊ et δψ observées à λ = 633 nm indiquent l'existence d'une couche d'interface induite. La constante diélectrique de l'oxygène adsorbé sous forme moléculaire à 77 K est réelle et égale à ε1 = 1,8.


Abstract
Adsorption of oxygen on evaporated silver films is studied at 295 and 77 K by means of ellipsometry and resistance measurements. The dielectric constant of atomically adsorbed oxygen obtained at λ = 1152 nm is [MATH]1 = -1.8 - 3.5i at 295 K and -2.0 - 4.0i at 77 K, which are well understood by the Bennett and Penn theory describing coupling between adsorbed oxygen and conduction electrons. Observed δƊ and δψ values at λ = 633 nm indicate the existence of an induced interface layer. The dielectric constant of molecularly adsorbed oxygen at 77 K is found to be real as ε1 = 1.8.