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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-321 - C10-325 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831063 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-321-C10-325
DOI: 10.1051/jphyscol:19831063
Department of Physics and Solid State Institute, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-321-C10-325
DOI: 10.1051/jphyscol:19831063
RAMAN SIDE-BANDS IN THE REFLECTIVITY FROM METALS DUE TO SURFACE IMPURITIES
T. ManivDepartment of Physics and Solid State Institute, Technion-Israel Institute of Technology, Haifa 32000, Israel
Résumé
La section efficace de diffusion Raman des métaux, due à la modulation de la réflectivite par des modes d'impureté localisés, est calculée à l'aide de la théorie microscopique que nous avons récemment développée pour la réponse diélectrique non locale près des surfaces metalliques. La validité de ce modèle de calcul pour traiter le problème du SERS est discutée.
Abstract
The Raman scattering cross section from metals due to reflectivity modulation by localized impurity modes is computed by the use of our recently developed microscopic theory for the nonlocal dielectric response near metallic surfaces. The relevance of this model calculation to the problem of SERS is discussed.