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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-273 - C10-276 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831057 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-273-C10-276
DOI: 10.1051/jphyscol:19831057
A NEW ELLIPSOMETRIC PROGRAMME APPLIED TO THE CHARACTERIZATION OF TRANSPARENT CONDUCTING TITANIUM NITRIDE FILMS
G. Celotti1, R. Rosa1, C. Summonte1 et G. Martinelli21 CNR, Istituto LAMEL, Via Castagnoli 1, 40126 Bologna, Italy
2 Instituto di Fisica dell'Università, Via Paradiso 12, 44100 Ferrara, Italy
Résumé
La caractérisation de couches de TiN sur Si monocristallin, obtenues par implantation ionique, a été effectuée en traitant les mesures ellipsométriques par un programme très souple qui s'adapte bien aux conditions expérimentales. Les résultats obtenus sur les couches implantées et recuites par faisceaux d'énergie (faisceau d'électrons, lumière incohérente) sont examinés en vue d'applications technologiques possibles.
Abstract
The optical characterization of TiN films produced on Si substrates by ion-implantation was performed by handling the ellipsometric measurements through a flexible program which well conforms to the various experimental situations. The results obtained on as-implanted and transient thermally annealed films are discussed in relation to different possible technological applications.