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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-267 - C10-271 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831056 | |
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-267-C10-271
DOI: 10.1051/jphyscol:19831056
C.N.E.T. - C.N.S., B.P. 98, Chemin du vieux chêne, 38243 Meylan, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-267-C10-271
DOI: 10.1051/jphyscol:19831056
EVIDENCE OF STRUCTURAL MODIFICATION OF IMPLANTED SILICON DURING FURNACE ANNEALING
Ph. Ged et M.H. DebrouxC.N.E.T. - C.N.S., B.P. 98, Chemin du vieux chêne, 38243 Meylan, France
Résumé
Nous présentons des résultats de mesure de conductivité, d'effet Hall, d'ellipsométrie spectroscopique, de canalisation et de microscopie électronique en transmission à haute résolution sur du silicium implanté arsenic sous 30 keV et recuit à 475° C. Ces résultats permettent de suivre les modifications de la structure au cours du recuit. Par ailleurs un effet Hall anormalement élevé a été observé après recuit.
Abstract
Conductivity, Hall effect, spectroscopic ellipsometry, channeling and high resolution TEM results are shown on 30 keV As implanted Si. Structural modifications are followed during the 475° C annealing process. An enhanced Hall effect has been observed on annealed samples.