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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C10, Décembre 1983
Conférence Internationale sur Ellipsométrie et autres Méthodes Optiques pour l'Analyse des Surfaces et Films Minces / Ellipsometry and other Optical Methods for Surface and Thin Film Analysis
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| Page(s) | C10-261 - C10-265 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19831055 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C10-261-C10-265
DOI: 10.1051/jphyscol:19831055
SPECTROSCOPIC ELLIPSOMETRY AND RAMAN SCATTERING ANALYSIS OF Be SHALLOW IMPLANTATION IN GaAs
M. Erman1, P. Chambon1, B. Prévot2 et C. Schwab21 Laboratoires d'Electronique et de Physique Appliquée, 3, Avenue Descartes, 94450 Limeil Brévannes, France
2 Université Louis Pasteur, Laboratoire de Spectroscopie et d'Optique du Corps Solide, L.A. CNRS 232, 5, rue de l'Université, 67084 Strasbourg, France
Résumé
Des échantillons de GaAs semi-isolant implantés Be sont analysés en utilisant l'ellipsométrie spectroscopique (SE) et la diffusion Raman (RS). L'étude par SE de la double structure E1, E1 + Ɗ1 de la partie imaginaire de la fonction diélectrique permet d'accéder à la perfection cristalline et à l'activation électrique. Les spectres RS du 1er ordre donnent des informations qualitatives alors qu'une analyse plus fine de la largeur des raies T0 et L0 permet de caractériser la qualité cristalline. Les modes couplés plasmon-L0 (L- et L+) permettent d'observer l'activation électrique.
Abstract
Spectroscopic ellipsometry (SE) and Raman scattering (RS) analysis of Be shallow implantation in semi-insulating GaAs are reported. Crystalline quality and informations about electrical activation are obtained from the SE analysis of the E1, E1 + Ɗ1 structure in the imaginary part of the dielectric function. Qualitative informations are obtained from the 1st order RS spectra. Energy position and line width of T0 and L0 modes give a lattice potential perfection scale. Electrical activation can be observed via coupled plasman L0 modes.